1.什么是宽禁带半导體(tǐ)

　　第三代半导體(tǐ)（本文(wén)以SiC和GaN為(wèi)主）又(yòu)称宽禁带半导體(tǐ)，禁带宽度在2.2eV以上，具有(yǒu)高击穿電(diàn)场、高饱和電(diàn)子速度、高热导率、高電(diàn)子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。SiC与GaN相比较，前者相对GaN发展更早一些，技术成熟度也更高一些；两者有(yǒu)一个很(hěn)大的區(qū)别是热导率x，这使得在高功率应用(yòng)中，SiC占据统治地位；同时由于GaN具有(yǒu)更高的電(diàn)子迁移率，因而能(néng)够比SiC或Si具有(yǒu)更高的开关速度，在高频率应用(yòng)领域，GaN具备优势。

　　2.宽禁带半导體(tǐ)静态测试

　　静态测试

　　静态：也叫稳态或者DC状态，施加激励（電(diàn)压/電(diàn)流）到稳定状态后再进行测试。

　　常作為(wèi)器件的“體(tǐ)检”！是特性测试中的基本测试；

　　特点：测试稳定，精度高，测试慢；

　　静态参数主要是指本身固有(yǒu)的，与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又(yòu)叫稳态或者DC（直流）状态测试，施加激励(電(diàn)压/電(diàn)流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括：栅极开启電(diàn)压、栅极击穿電(diàn)压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏電(diàn)流、寄生電(diàn)容(输入電(diàn)容、转移電(diàn)容、输出電(diàn)容)，以及以上参数的相关特性曲線(xiàn)的测试。

　　设备：源和测量单元一體(tǐ)，也就是SMU设备；

　　吉时利2450

　　2450型是Keithley的新(xīn)一代源测量单元(SMU)仪器，可(kě)轻松执行欧姆定律（電(diàn)流、電(diàn)压和電(diàn)阻）测试。其创新(xīn)的图形用(yòng)户界面(GUI)和先进的電(diàn)容式触摸屏技术让使用(yòng)变得非常直观，并最大程度地减少學(xué)习曲線(xiàn)，从而使工程师和科(kē)學(xué)家能(néng)够更快地學(xué)习、更智能(néng)地工作且更轻松地进行发明创造，如果您有(yǒu)更多(duō)疑问或需求可(kě)以关注西安安泰测试Agitek哦！非常荣幸為(wèi)您排忧解难。